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芯片制作的过程中光刻和蚀刻这两个步聚用到光刻机和蚀刻机，虽然这种设备都有一个关键参数是加工精度（多少纳米），可是它们的原理却不一样。
现在ASML较好的EVU（紫外）光刻机，是以波长为10-14纳米的紫外光作为光源的光刻技能。由于几乎一切光学材料对13.5nm波长的紫光都有很强的吸收效果，EVU光刻机的光学体系只能选用反光镜，这和许多科普文章所说的不一样。
可是，这两种光学体系所面对的难点都是光源波长和被加工的精度都很接近，乃至浸没式光刻机要用193nm的光源，刻出28nm的沟槽来，这就比如要用一把菜刀在米粒上刻字一般，光的衍射效应就已是非常难控制的技能难点。
可以加工5~7nm的3400B光刻机
而蚀刻机其实就是等离子蚀刻机（ 又叫等离子蚀刻机 、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗体系等），其原理是在抽真空的环境下，用高能等离子气体去炮击加工件，等离子体在工件表面产生反响，其生成的挥发性产品被真空泵抽走。形象一点说，就像喷发抛光机，将喷发出的沙子去炮击工件表面，然后到达加工的目的。而要使得加工目标得到预定的图画，则喷发加工前有必要先在工件上打好模子，就比如咱们在墙上喷漆前，先用镂空纸贴上不要喷的区域的道理一样。
这个过程涉及物理和光学的一起效果，整体来说，加工的精度实际上取决于前一步骤光刻的精度。
